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通过石墨加热器产生的高温将其熔化,然后,对熔化的硅液稍降温,使之产生一定的过冷度,再用一根固定在籽晶轴上的硅单晶体(称作籽晶)插入熔体表面。把高纯度的多晶硅原料放入高纯石英坩埚原理编辑首先待籽晶与熔体熔和后随后生长出一定直径规格大小的单晶柱体。然而,随着温度的升高,硅的电阻率急剧下降, 在873k左右时减小到5Ω此时Si才达到了电磁悬浮熔炼的基 01Ω·m与金属相当。试验中使用石墨坩埚预热硅试样873K左右,使工业硅的电磁感应熔炼成为可能。