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4为保温材津牛，5为保温罩，6为加热器，7为水套，8为石英埚，9为导流筒，IO为护盘，12为氩气输入管，11为分布有孔11-1的环形气体分布器，13为排气口。技术领域：本发明涉及一种直拉式单晶生长炉。背景技术：图1为切克劳斯基(直拉)法硅单晶的单晶炉剖面示意图，图1-2中，l为炉筒，2为保温盖。名称：直拉式单晶生长炉的方法直拉式单晶生长炉的方法3为保温盖直拉硅单晶在生长过程中需要向炉内不断充入氩气从而影响了单晶炉的使用寿命。因此上述图1的单晶炉的不足之处在于单晶炉内空间较大氩气流量为40L/min，因此其氩气消耗量大，生产成本较高。影响单晶炉的使用寿命。且其向炉内充入氩气时的充气气压在1.3xi03Pa以上，导致其氩气流量较大，故而氩气消耗量大，生产成本较高。

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且可减少热 能及氩气消耗的直拉式单晶生长炉。实现本发明目的的技术方案是一种直拉式单晶生长炉，其包括 氩气输入管，与氩气输入管相连通的环形气体分布器，其特征在于经氩 气输入管输入的氩气气压为0. 8xl03Pa0. 9xl03Pa，氩气流量为 30L/min。上述技术方案中。本发明的目的是一种易于及时排出炉内的混合气体发明内容还包括设于直拉式单晶生长炉的坩埚支持器下方和 该部的排气口之间的气流导向装置以防止 因该中轴孔与石墨中轴之间的间隙而漏气抗氧化(2)本发明 的直拉式单晶生长炉中整个炉内的一氧化硅与氩气的混合气体(包 括坩埚支持器下方的混合气体)能通畅地排出炉外本发明的气流导向装置的一对通气孔与该炉的 一对排气口相 对设置，缩短了排气管路，利于提高排气效率。安全技术作规程编辑1，在全部和部分带电的盘上进行工作，应将检修设备与运行设备以明显标志隔。