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MOS管型防反接保护电路利用了MOS管的关特性，控制电路的导通和断来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，现在MOSFETRds（on）已经能够到毫欧级，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接。一旦被保护电路的电源极性反接，保护用场效应管会形成断路，防止电流烧毁电路中的场效应管元件，保护整体电路。N沟道MOS管防反接保护电路电路如示N沟道MOS管通过S管脚和D管脚串接于电源和负载之间，电阻R1为MOS管电压偏置，利用MOS管的关特性控制电路的导通和断，从而防止电源反接给负载带来损坏。

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不信可以拆自己家已经接好的关，用电笔测一下——理论上来讲，当关关闭时，只有火线接线柱能够点亮电笔。但是实际使用时，接了零线（灯线）的接线柱十有八九也可以点亮电笔。只不过大部分关，即使零线带电，所带的电压也比较低，不足以在线路中产生电流。但如果绝缘性再差一点，产生的电流稍大了，就会给电容充电。还有一点：关上带指示灯的时候，关灯时指示灯会亮起，此时需要产生微弱电流——这部分电流会流经电容，并被电容储存起来。点击connection设定通讯参数（波特率，数据位，停止位，校验位与程序中设为一致）。点击确定后能后看到通讯板和转换器的接受发送指示灯始闪烁，程序中的设备地址也在1-3中循环变化：通讯指示灯由于动图的帧率选的较低，会漏掉几个灯的状态。。。变化的设备地址监看程序中设备地址，能够看到地址在1-3之间循环变化。可惜的是modsim与SPU不能共用一个串口，看不到modsim反馈的报文了。接下来我们在modsim中改变几个地址的值，看看PLC的设备数据结构体中能否进行相应的变化，将设备1 设置为114，设定数据数据设定后在PLC的DB块中监视DeviceData的值：读取数据可以看到DeviceData.states的值已经变化（16进制），而DeviceData和DeviceData并没有变化。刚始学习的时候也是比较迷茫，不知道从哪里入手，同学我先看郭天祥的“新概念51单片机C语言 ”，这本书算是我的启蒙吧，书里面介绍了基本C语言知识和编程软件KEIL，这本书好的一点就是浅显易懂，直接是把我这个单片机小白领进门的。书还有配套的也可以找来看看，看的话会更直观一点，便于快速入门。（这本书也有一定的局限性，后面再说，但入门足够）单片机前期的学习以会用为主。不要纠结于寄存器、定时器、中断这些单片机的内部结构以及如何工作的，始学习单片机就像学车一样，学车时始知道怎么加油挂挡刹车控制方向就好了，至于发动机、变速箱、转向助力是怎么配合的以后再说，先学会车。当按下SB2时，注意：KM1瞬时出了三招，自锁触点闭合，常闭触点断，常触点闭合，这三招直接引发三大连锁反应，一，电动机始降压启动，二，KT2得电吸合，它的常闭触点断，这时因KM3没电未吸合，R2得以保命，没有被短接切除，幸存下来，三，KT1被断电，它的常闭触点延迟闭合，这就让KM2得电，当KM2常触点闭合时，R1被不幸的短接，电流有了捷径可走，直接绕过R1，同时遭殃的还有KT2，这时R2成了电流的必经之路。

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